Сканкод · дистрибьютор в РФ и СНГФлеш-память и EEPROM
В DS1206 установлено 512KB или 1,024KB флеш-памяти и 2KB EEPROM.
Первые 64KB флеш-памяти отведены под прошивку TiOS. При обновлении прошивки двоичный файл прошивки записывается именно в эту область.
Остальная флеш-память доступна вашему приложению Tibbo BASIC/C и его данным. Всё пространство, оставшееся после загрузки скомпилированного приложения, можно использовать как флеш-диск (см. объект fd.).
EEPROM почти целиком доступна вашему приложению, за исключением небольшой области в 28 байт, называемой "специальной областью конфигурации". Доступ к EEPROM осуществляется через объект stor. Подробности о специальной области конфигурации приведены в документации по платформе DS1206.
По совету одного из заказчиков напоминаем: как и все остальные EEPROM на рынке, микросхемы EEPROM в устройствах Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как сказано в статье Википедии на эту тему, у EEPROM "... ограниченный срок службы по числу стираний и перепрограммирований, который в современных EEPROM достигает миллиона операций. Если EEPROM часто перепрограммируется во время работы компьютера, срок её службы - важный фактор при проектировании."
Если вы планируете использовать объект stor., внимательно оцените, обеспечит ли выбранный режим работы с EEPROM её надёжную работу в течение всего расчётного срока службы вашего изделия. Подробнее см. в разделе Продление и оценка срока службы EEPROM.
Как и все остальные флеш-устройства на рынке, микросхемы флеш-памяти в изделиях Tibbo допускают лишь ограниченное число циклов записи. Как поясняется в статье Википедии на эту тему, у современных флеш-микросхем всё ещё сравнительно невысокая износостойкость при записи. В устройствах Tibbo она составляет около 100,000 циклов записи на сектор. Когда флеш-память используется для хранения файлов, объект fd. применяет выравнивание износа секторов, чтобы продлить жизнь флеш-микросхемы, но срок службы всё равно остаётся ограниченным. Если ваше приложение использует прямой доступ к секторам, его нужно проектировать с учётом ограничений ресурса флеш-памяти. Для часто изменяемых данных лучше использовать EEPROM: её износостойкость намного выше.