Сканкод · дистрибьютор в РФ и СНГФлеш-память и EEPROM
У EM510 есть 512KB внутренней флеш-памяти и 2,048 байт EEPROM (см. Информация для заказа и технические характеристики).
Часть внутренней флеш-памяти занимает прошивка TiOS. Именно в эту память записывается двоичный файл прошивки при её обновлении.
Остальная часть этой флеш-памяти доступна вашему приложению Tibbo BASIC/C. Внутреннюю флеш-память нельзя использовать как флеш-диск. В EM510 для объекта fd. требуется внешняя флеш-микросхема.
Как видно на принципиальной схеме ниже, это микросхема ATMEL AT45DB041. После подключения она используется только объектом fd. и даёт 1MB для хранения данных. Когда объект fd. включён, GPIO1, GPIO3 и GPIO4 автоматически обслуживаются TiOS, и приложению не следует одновременно пытаться управлять этими линиями.
Объект fd. включается в диалоговом окне Project Settings среды Tibbo IDE (TIDE). Чтобы включить его, нажмите кнопку Customize (в диалоговом окне Project Settings) и установите для Flash disk (fd.) object значение Enabled.
НЕ ВКЛЮЧАЙТЕ объект fd., если флеш-микросхема фактически не подключена. Когда объект fd. включён, EM510 пытается определить наличие флеш-микросхемы, то есть обратиться к флеш-памяти через SPI. Это значит, что на GPIO4 (CS), GPIO3 (CLK) и GPIO1 (DI/DO) появятся сигналы. Определение флеш-микросхемы может нарушить работу устройства (если к этим GPIO подключено что-то другое).
EEPROM почти целиком доступна приложению, за исключением небольшой области в 32 байта, называемой "специальной областью конфигурации". Доступ к EEPROM осуществляется через объект stor.. Подробности о специальной области конфигурации приведены в документации по платформе EM510.
По совету одного из наших клиентов напоминаем: как и все остальные EEPROM на рынке, микросхемы EEPROM в устройствах Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как говорится в статье Википедии на эту тему, EEPROM "... имеет ограниченный срок службы по числу стираний и перепрограммирований, который в современных EEPROM достигает миллиона операций. Если EEPROM часто перепрограммируется во время работы компьютера, срок её службы становится важным фактором при проектировании."
Если вы планируете использовать объект stor., внимательно оцените, позволит ли предполагаемый режим работы с EEPROM сохранять её надёжность в течение всего расчётного срока службы вашего изделия. Подробнее см. в разделе Продление и оценка срока службы EEPROM.
Как и все остальные флеш-устройства на рынке, флеш-микросхемы в изделиях Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как объясняется в статье Википедии на эту тему, у современных флеш-микросхем износостойкость при записи всё ещё сравнительно низкая. В устройствах Tibbo она составляет около 100,000 циклов записи на сектор. При использовании флеш-памяти для хранения файлов объект fd. применяет выравнивание износа секторов, чтобы максимально продлить срок службы микросхемы, - но этот срок всё равно ограничен. Если приложение использует прямой доступ к секторам, его нужно проектировать с учётом ограничений по сроку службы флеш-памяти. Для часто изменяемых данных лучше использовать EEPROM: у неё намного выше износостойкость.