Сканкод · дистрибьютор в РФ и СНГФлеш-память и EEPROM
У EM200 есть 128KB флеш-памяти и 2KB EEPROM.
Половину флеш-памяти (64KB) занимает прошивка TiOS. При обновлении прошивки двоичный файл прошивки сохраняется именно в эту память.
Вторая половина флеш-памяти (64KB) доступна вашему приложению Tibbo BASIC/C.
EEPROM почти полностью доступна вашему приложению, кроме небольшой области в 8 байт, которая называется «областью специальной конфигурации». Доступ к EEPROM осуществляется через объект stor.
По совету одного из наших клиентов напоминаем: как и все остальные EEPROM на рынке, микросхемы EEPROM в устройствах Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как сказано в статье Википедии на эту тему, EEPROM «... имеет ограниченный ресурс стирания и перепрограммирования, который в современных EEPROM достигает миллиона операций. Если EEPROM часто перепрограммируется во время работы компьютера, ресурс EEPROM становится важным фактором при проектировании».
Если вы планируете использовать объект stor., внимательно оцените, позволит ли предполагаемый режим использования EEPROM работать надёжно в течение всего расчётного срока службы вашего изделия. Подробнее см. в разделе Продление и оценка ресурса EEPROM.
Как и все остальные флеш-устройства на рынке, флеш-микросхемы в изделиях Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как поясняется в статье Википедии на эту тему, у современных флеш-микросхем всё ещё сравнительно низкая износостойкость при записи. В устройствах Tibbo она составляет около 100,000 циклов записи на сектор. Когда флеш-память используется для хранения файлов, объект fd. применяет выравнивание износа секторов, чтобы продлить срок службы микросхемы, но этот срок всё равно ограничен. Если приложение использует прямой доступ к секторам, строить его нужно с учётом ограниченного ресурса флеш-памяти. Для часто меняющихся данных лучше использовать EEPROM - её износостойкость намного выше.