Флеш-память и EEPROM
На плате EM2001 установлены три вида энергонезависимой памяти:
- 1MB флеш-памяти программ. TiOS занимает во флеш-памяти программ 256KB. Остальные 768KB можно использовать для хранения скомпилированного двоичного файла приложения и постоянных (неизменяемых) данных.
- 1MB флеш-диска, на котором размещена защищённая отказоустойчивая файловая система. Весь диск может использоваться приложением для хранения нужных данных. Диском управляет объект fd.
- 2KB EEPROM. EEPROM почти целиком доступна вашему приложению, кроме небольшой области в 28 байт, которая называется «специальной областью конфигурации». Доступ к EEPROM осуществляется через объект stor. Подробности о специальной области конфигурации приведены в документации по платформе EM2001.
По совету одного из заказчиков напоминаем: как и все остальные микросхемы EEPROM на рынке, микросхемы EEPROM в устройствах Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как сказано в статье Википедии на эту тему, у EEPROM «... ограниченный срок службы по числу стираний и перепрограммирований, который в современных микросхемах EEPROM достигает миллиона операций. Если EEPROM часто перепрограммируется во время работы компьютера, её срок службы - важный фактор при проектировании.»
Если вы планируете использовать объект stor., внимательно оцените, позволит ли задуманный режим использования EEPROM работать ей надёжно в течение всего предполагаемого срока жизни вашего изделия. Подробнее см. в разделе Продление и оценка срока службы EEPROM.
Как и все остальные флеш-микросхемы на рынке, флеш-микросхемы в продукции Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как поясняет статья Википедии на эту тему, у современных флеш-микросхем всё ещё сравнительно невысокая стойкость к записи. В устройствах Tibbo она составляет около 100,000 циклов записи на сектор. Когда флеш-память используется для хранения файлов, объект fd. применяет выравнивание износа секторов, чтобы максимально продлить срок службы микросхемы, но этот срок всё равно остаётся ограниченным. Если ваше приложение обращается к секторам напрямую, строить его нужно с учётом ограничений срока службы флеш-памяти. Для данных, которые часто меняются, лучше использовать EEPROM: её стойкость к записи намного выше.