Флеш-память и EEPROM
На плате EM2000 установлены три вида энергонезависимой памяти:
- 1MB программной флеш-памяти. TiOS занимает в ней 256KB. Остальные 768KB можно использовать для хранения скомпилированного двоичного файла вашего приложения и постоянных (неизменяемых) данных.
- 1MB флеш-диска, на котором размещена защищённая отказоустойчивая файловая система. Весь диск может использоваться вашим приложением для хранения необходимых данных. Диском управляет объект fd..
- 2KB EEPROM. EEPROM почти целиком доступна вашему приложению, кроме небольшой области в 28 байт, называемой «специальной областью конфигурации». Доступ к EEPROM выполняется через объект stor.. Подробности о специальной области конфигурации приведены в документации по платформе EM2000.
По совету одного из наших клиентов напоминаем: как и все остальные EEPROM на рынке, микросхемы EEPROM в устройствах Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как говорится в статье Википедии по этой теме, EEPROM «... имеет ограниченный срок службы по числу стираний и перепрограммирований, который в современных EEPROM достигает миллиона операций. Если EEPROM часто перепрограммируется во время работы компьютера, её ресурс становится важным фактором при проектировании.»
Если вы планируете использовать объект stor., внимательно оцените, позволит ли задуманный режим использования EEPROM работать ей надёжно в течение всего расчётного срока службы вашего изделия. Подробнее см. Продление и оценка срока службы EEPROM.
Как и все остальные устройства флеш-памяти на рынке, флеш-микросхемы в продуктах Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как объясняется в статье Википедии по этой теме, у современных флеш-микросхем всё ещё сравнительно низкая износостойкость при записи. В устройствах Tibbo она составляет около 100 000 циклов записи на сектор. Когда флеш-память используется для хранения файлов, объект fd. применяет выравнивание износа секторов, чтобы продлить срок службы флеш-микросхемы, но этот срок всё равно остаётся ограниченным. Если ваше приложение обращается к секторам напрямую, его нужно проектировать с учётом ограничений ресурса флеш-памяти. Для часто изменяющихся данных подумайте об использовании EEPROM: у неё износостойкость намного выше.