Флеш-память и EEPROM

В устройствах DS/WS110x встречаются три типа флеш-памяти:

  • Объединённая флеш-память - хранит прошивку Tibbo OS (TiOS), скомпилированное приложение Tibbo BASIC/C и, при необходимости, флеш-диск. Всё пространство флеш-памяти, не занятое TiOS, доступно скомпилированному приложению Tibbo BASIC/C. Всё пространство, оставшееся после TiOS и приложения, можно отформатировать как отказоустойчивый флеш-диск. Доступ к флеш-диску осуществляется через объект fd.
  • Флеш-память программ - хранит прошивку TiOS и скомпилированные приложения Tibbo BASIC. Всё пространство флеш-памяти, не занятое TiOS, доступно скомпилированному приложению Tibbo BASIC/C.
  • Флеш-память данных - всё пространство можно отформатировать как отказоустойчивый флеш-диск. Доступ к флеш-диску осуществляется через объект fd.

Кроме того, все устройства DS/WS110x оснащены EEPROM. Небольшую область в конце EEPROM занимает специальный раздел конфигурации (Special Configuration Section, SCS), в котором хранятся MAC-адреса и пароль устройства. Остальная часть EEPROM доступна приложениям Tibbo BASIC/C. Доступ к EEPROM осуществляется через объект stor.

Устройство

Объединённая флеш-память

(доступное место для приложения/диска)

Флеш-память программ

(доступное место для приложения)

Флеш-память данных

EEPROM

(место, занятое SCS)

DS1100---512KB---208 байт
DS11011,024KB (64KB)---
2KB (8 байт)
DS11021,024KB (64KB)------2KB (8 байт)
WS1102---4MB (4,048KB)4MB (4,048KB)2KB (28 байт)
Внимание

По совету одного из наших клиентов напоминаем: как и все остальные EEPROM на рынке, микросхемы EEPROM в устройствах Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как говорится в статье Википедии на эту тему, EEPROM "... имеет ограниченный ресурс стирания и перепрограммирования, который в современных EEPROM достигает миллиона операций. Если EEPROM часто перепрограммируется во время работы компьютера, ресурс EEPROM становится важным фактором при проектировании."

Если вы планируете использовать объект stor., внимательно оцените, позволит ли выбранный режим использования EEPROM работать надёжно на протяжении всего расчётного срока службы вашего изделия. Подробнее см. в разделе Продление и оценка ресурса EEPROM.

Как и все остальные флеш-устройства на рынке, микросхемы флеш-памяти в продуктах Tibbo допускают ограниченное число циклов записи. Как поясняется в статье Википедии на эту тему, у современных флеш-микросхем износостойкость при записи по-прежнему сравнительно низкая. В устройствах Tibbo она составляет около 100 000 циклов записи на сектор. Когда флеш-память используется для хранения файлов, объект fd. применяет выравнивание износа секторов, чтобы продлить срок службы флеш-микросхемы, но ресурс всё равно остаётся ограниченным. Если ваше приложение обращается к секторам напрямую, строить его нужно с учётом ограничений ресурса флеш-памяти. Для данных, которые часто меняются, лучше использовать EEPROM: у неё износостойкость намного выше.

Исходный материал Tibbo обновлён 12 сентября 2022Оригинал на docs.tibbo.com · Сообщить об ошибке